Диоды таблеточной конструкции ДЛ653-2000 ДЛ653-2500

По всем интересующим Вас вопросам:

Москва: +7(495)182-71-11

E-mail: info@promsouz.org

Поделиться ссылкой:

Диоды таблеточной конструкции ДЛ653-2000 ДЛ653-2500

Код товара:

131-10-7191

Наличие:

Уточняйте у менеджера

Цена с НДС:

По запросу

Описание

Назначение и область применения
Диоды ДЛ653 выпускают на токи от 2000 до 2500 А таблеточного исполнения с повышенной термодинамической устойчивостью.
Диоды предназначены для работы в мощных выпрямителях, применяемых в металлургической, химической промышленности и других мощных устройствах в сетях с частотой до 400 Гц, предъявляющих повышенные требования к термодинамической устойчивости корпуса диодов.
Диоды отличаются повышенной стабильностью импульсного прямого напряжения, обеспечиваемой применением родиевого покрытия на прижимных контактах.

Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения УХЛ2 и Т3 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Диоды предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях, исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения).По прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок диоды соответствуют группе М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с² и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с².
Рекомендуемый охладитель ОР153-150 по ТУ У 32.1-30077685-015-2004. Допускается применение других охладителей с площадью поверхности не менее 5957 см².
Диоды по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-05755571-002-2001.

Обратные параметры

Параметр		Значение параметра		Условия установления норм на параметры
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	Тип диода
		ДЛ653-2000	ДЛ653-2500
^URRM	Повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, не менее, для классов: 34 36 38	3400 3600 3800	3400 3600	T, = 160 °с Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
^UBR	Пробивное напряжение, В, не менее, для классов: 34 36 38	3790 4000 4210	3790 4000	T = 25 ⁰с, ti = 10 мс, Irm = 100 мА
Urwm	Рабочее импульсное обратное напряжение, B, не более	^0,8 Urrm		T= 160 ⁰с Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Ur	Постоянное обратное напряжение, В, не более	^0,6 Urrm		Т_с= 85 ⁰С
^PRSM	Ударная обратная рассеиваемая мощность, кВт, не менее	16		T = 160 ⁰С Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 100 мкс
Irrm	Повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более	3		T= 25⁰С
		50		T= 160 ⁰С

Прямые параметры

Параметр		Значение параметра		Условия установления норм на параметры
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	Тип диода
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	ДЛ653-2000	ДЛ653-2500
Ifavm	Максимально допустимый средний прямой ток, А	2000	2500	Т_с = 85⁰С
	Фактический максимально допустимый средний прямой ток, А	2130	2524	Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Ifrms	Действующий прямой ток, А	3140	3925
Ifsm	Ударный прямой ток,	33,0	36,3	Tj = 25 ⁰С
	кА
		30,0	33,0	Tj = 160 ⁰С Импульс тока синусоидальный, одно- полупериодный, одиночный, длительностью 10 мс, обратное напряжение не прикладывается
^UFM	Импульсное прямое напряжение, В, не более	1,80	1,70	Tj = 25 ⁰С I_F = ^3,14 Ifavm
^Uto	Пороговое напряжение, В	1,00	0,96	T_j = 25 ⁰С
^Uto	Пороговое напряжение, В	0,84	0,80	T_j = 160 ⁰С
r_T	Динамическое сопротивление в прямом направлении, мОм	0,127	0,094	T_j = 25 ⁰С
r_T	Динамическое сопротивление в прямом направлении, мОм	0,175	0,110	T_j = 160 ⁰С
Ifav	Средний прямой ток с охладителем, А	390	429	T_a = 40 ⁰С, естественное охлаждение, охладитель ОР153-150 по ТУ У 32.1-30077685-015-2004

Тепловые параметры

Параметр		Значение параметра
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	Тип диода
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	ДЛ653-2000 ДЛ653-2500
T- jm	Максимально допустимая температура перехода, °С	160
Tjmin	Минимально допустимая температура перехода, ⁰С	минус 60
T stgm	Максимально допустимая температура хранения, ⁰С	50
T stgmin	Минимально допустимая темпе-	минус 60
T stgmin	ратура хранения, ⁰С	(минус 10 для исполнения Т3)
^Rthjc	Тепловое сопротивление пере-	0,020
^Rthjc	ход-корпус, °С/Вт, не более	0,020
^Rthch	Тепловое сопротивление корпусохладитель, ⁰С/Вт, не более	0,005
^Rthja	Тепловое сопротивление переход-среда (с охладителем), ⁰С/Вт, не более	0,305

Параметры термодинамической стойкости

Параметр		Значение параметра	Условия установления норм на параметры
Буквенное обозначение	Наименование, единица измерения	Тип диода
		ДЛ653-2000 ДЛ653-2500
Ic(crit)	Ток термодинамической стойкости корпуса, кА	75	t = 5,8 мс
2 Ic(crit) t	Защитный показатель термодинамической стойкости корпуса, А², с	13.10⁶

Оплата

Доставка

Качество

Диоды таблеточной конструкции ДЛ653-2000 ДЛ653-2500