Оплата
У нас гибкие условия оплаты.
У нас гибкие условия оплаты.
Отправка в любую точку мира.
Только качественная продукция.
Фототиристор ТФ132-25, содержащий полупроводниковый элемент ТО132-25, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно - распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического назначения. Климатическое исполнение и категория размещения У3 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69. По прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок диоды соответствуют группе М27 условий экс - плуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Фототиристоры изготавливаются по ТУ У 32.1-05755571-001-2001.
Фототиристоры ТФ132-25 были разработаны специально для систем дуговой защиты КРУ и более 20 лет успешно применяются в составе продукции, выпускаемой рядом предприятий, выпускающих высоковольтную аппаратуру. Для успешной эксплуатации тиристоров этого типа необходимо учитывать следующее.
Возможны так называемые «ложные срабатывания защиты», то есть переключение фототиристора в проводящее состояние без подачи управляющего освещения. Это явление связано с включением фототиристоров эффектом (dU/dt) - переключения фототиристора при приложении к нему напряжения с высокой скоростью нарастания. Эффект наблю¬дается либо при появлении коммутационных перенапряжений на питающей сети, либо при подаче напряжения собст - венных нужд на цепь, содержащую фототиристор. Для исключения неуправляемого открытия фототиристоров рекомендуется:
1. Ввести в схему последовательные демпфирующие RC-цепи (R=20 Ом, С=0,05 мкФ), включенные параллельно каждому фототиристору.
2. Применять фототиристоры с группой по (dU/dt) 3 или 4. Применение фототиристоров с группой по (dU/dt) 5 и более при наличии RC-цепи неоправданно. Группы 7 по (dU/dt) у фототиристоров не существует.
При применении фототиристоров на высокоомную нагрузку необходимо учитывать, что ток включения ТФ132 со - ставляет не более 100 мА, ток удержания - не более 70 мА. Следовательно, при работе со слишком малыми токами на - грузки тиристор будет переходить в закрытое состояние по окончании воздействия света.
Параметры закрытого состояния
Параметр | Значение параметра |
Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | ТФ132-25 | |
U DSM U RSM |
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 8 10 |
670 900 1100 |
Т jm=100°C Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс, управляющий вывод разомкнут. |
UDRM U RRM |
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 8 10 |
600 800 1000 |
Т jm=100°C. Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц, управляющий вывод разомкнут. |
U DWM U RWM |
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В | 0,8U DRM 0,8U RRM |
|
UD UR |
Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В | 0,6U DRM 0,6U RRM |
Тс=70°С |
(dUD/dt)erit | Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для группы: 0 1 2 3 4 5 6 |
Не нормируется, но не менее 1 В/мкс 20 50 100 200 320 500 |
Т =100°С; U =0,67U ; jm DM DRM’ ^ Цепь управления разомкнута. |
^DRM | Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более | 3,2 | ^m=25°C Цепь управления разомкнута. |
6,2 | ^m=100°C Цепь управления разомкнута. |
Параметры открытого состояния
Параметр | Значение параметра |
Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | ТФ132-25 | |
IT(AV)M | Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, A | 25 | Тс=70°С Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц. |
Фактический максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, A | 28 | ||
^TRMSM | Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А | 39 | |
U TM |
Импульсное напряжение в открытом состоянии, B, не более | 2,2 | Т]=250С IT=3,14IT(AV)M |
U T(TO) |
Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более | 1,1 | ^m=100°C |
rT | Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более | 9,5 | ^m=100°C |
Тепловые параметры
Параметр | Значение параметра |
Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | ТФ132-25 | |
T. jm |
Максимально допустимая температура перехода, °C | 100 | |
T. . jmin |
Минимально допустимая температура перехода, °C | минус 50 | |
T stgm |
Максимально допустимая температура хранения, °C | 40 | |
T stgm |
Минимально допустимая температура хранения, °C | минус 50 | |
Rthjc | Тепловое сопротивление переход-корпус, °ОВт, не более | 0,6 | Постоянный ток |
Rthch | Тепловое сопротивление корпус-охладитель, °ОВт, не более | 0,3 |