Москва:
+7(495)182-71-11
Режим работы:
Пн-Пт, с 9 до 17
E-mail:
info@promsouz.org

  • Ваша корзина пуста!

Модули гибридные оптосимисторные МГТСO11/17-50, МГТСО11/17-63, МГТСО11/17-80, МГТСO11/19-50, МГТСO11/19-63, МГТСO11/19-80

  • Модули гибридные оптосимисторные МГТСO11/17-50, МГТСО11/17-63, МГТСО11/17-80, МГТСO11/19-50, МГТСO11/19-63, МГТСO11/19-80
По всем интересующим Вас вопросам:

Москва: +7(495)182-71-11

E-mail: info@promsouz.org

Поделиться ссылкой:
Код товара:
131-10-7281
Наличие:
Уточняйте у менеджера
Цена с НДС:
По запросу

Общие сведения

Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциаль­ным основанием. Силовая цепь модулей состоит из элемента тиристорного симметричного (триака). Цепь управления состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО 11/17) или без контроля пере­хода через ноль (МГТСО7/19, МГТСО11/19).

Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных элек­тротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условия эксплуатации

Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.

Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излуче­ния).

Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с2. Группа М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.

Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-011-2003.

Комплектность поставки и формулирование заказа

Модули поставляются без охладителей, но по согласованию с предприятием-изготовителем могут поставляться с охладителем и комплектом крепежных деталей.

К каждой партии модулей, транспортируемых в один адрес, прилагается этикетка.

При заказе модулей необходимо указать:

тип, класс, группу по критической скорости нарастания коммутационного напряжения, климатиче­ское исполнение, категорию размещения, комплектность поставки, количество, номер технических ус - ловий.

Пример заказа 50 штук модулей типа МГТСО11/17-80 двенадцатого класса с критической скоро­стью нарастания коммутационного напряжения 50 В/мкс (7 группа), климатического исполнения У, ка­тегории размещения 2.

МГТСО11/17-80-12-7-У2 по ТУ У 32.1-30077685-011-2003 10 шт, без охладителей.

Структура условного обозначения модулей



Включение модулей производят от источника постоянного тока управления.
Для работы модули должны устанавливаться на рекомендуемые охладители в со­ответствии с таблицей, приведенной ниже, или на любые поверхности устройств, спо­собные обеспечивать оптимальный тепловой режим.
 
Крутящий момент, прикладываемый к крепежному винту (М4), при монтаже мо­дуля на охладитель 2,0±0,2 Нм.
Растягивающая сила для управляющих выводов 20,0±2.0 Н, для основных выво­дов модулей МГТС07-50,0±5.0 Н
Крутящий момент, прикладываемый к винту при подключении основных выводов модулей МГТС011 - 2,0±0,2 Нм.
При подключении управляющих выводов рекомендуется использовать розетки с размером гнезда 2,8х0,8 и основных выводов модулей МГТС07 - 6,3х0,8 по ГОСТ 24566-86.

Параметры закрытого состояния
 
Обозначение параметра Наименование, единица
измерения		 Тип модуля Условия установления норм на параметры
МГТСО7/17-10, МГТСО7/17-16, МГТСО7/17-25, МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25 МГТСО11/17-50,МГТСО11/17-63,МГТСО11/17-80,МГТСО11/19-50,МГТСО 11/19-63,МГТСО11/19-80
UDRM

 		 Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12



400
600
800
1000
1200		 Т=1100С
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, одиночный длительностью 10мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута.
UDSM
 		 Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12
 

450
670
900
1100
1300
UDWM Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В 0,8UDRM
UD Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В 0,6UDRM Т=700С
IDRM
 Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии,мА, не более 1 3 Т=250С. Цепь управления разомкнута.
2,5 7 Т=1100С. Цепь управления разомкнута.

Параметры открытого состояния
Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение		 Наименование,
единица
измерения		 МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10		 МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16		 МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25		 МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50		 МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63		 МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
ITRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А 10 16 25 50 63 80 Тс=70°С, импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол
проводимости 360 град. эл.
ITSM Ударный ток в открытом состоянии, кА 0.077 0.132 0.154 0.55 0.66 0.77 Т=25°С
0.07 0.12 0.14 0.5 0.6 0.7 Т=110°С. Импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс
UTM Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более 1.7 1.75 1.7 1.65 1.5 Т =25°С
UT(TO) Пороговое напряжение в открытом состоянии, В 1 Т=110°С
rT Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм 50 33 21 10 7.3 4.4 Т=110°С
ITRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при Та=40°с, А охладитель ОР224-80 охладитель ОР234-80 охлаждение:
и 14 17 22 24 26 естественное
15 20 27 39 45 52 принудительное v=6 м/с
охладитель ОР224-60 охладитель ОР234-60  
10 12 15 18 20 21 естественное

Параметры управления
Параметр Значение
параметра		  
Буквенное
обозначение		 Наименование, единица измерения МГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80		 Условия установления норм на параметры
 IGT
 		  
Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более		 10 Т=25°С
14 Т=-40°С, частота напряжения в закртытом состоянии 50 Гц.
IGTmax Максимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более 30 Т=25°С, t=30 мс
UG Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не 2.5 Т=25°с, I =10 мА
более 3.5 Т =-40°С
UGD Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее 0.9 Т =110°С, напряжение источника управления - постоянное
 IGD Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее 0.2
UFT Напряжение включения по основной цепи*, В, не более 20 Т=25°С. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Г ц, скважностью 2.
UINT Напряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО7/17, МГТСО11/17), В, не более 50
 
Параметры переключения
 
Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение		 Наименование, единица измерения МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25, МГТСО11/19-50, МГТСО11/19-63, МГТСО11/19-80
tgt Время включения, мкс, не более 20 U =100 В/ Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, IFGM=10 мА, длительность фронта не более 0,5 мкс, t =100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом.

Тепловые параметры 
Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение		 Наименование,
единица
измерения		 МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10		 МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16		 МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25		 МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50		 МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63		 МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
Tjm Максимально допустимая температура перехода, °С 110  
Tjmin Минимально допустимая температура перехода, °С минус 40  
Tstgm Максимально допустимая температура хранения, °С 40  
Tstgm Минимально допустимая температура хранения, °С минус 40  
Rthjc Тепловое сопротивление переход-корпус модуля,
°С/Вт, не более		 2 1.3 0.9 0.55 0.45 0.36 Постоянный ток
Rthch Тепловое сопротивление корпус­охладитель, °С/Вт, не более 0.2 0.15  
Rthja Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не более охладитель ОР224-80 охладитель ОР234-80 охлаждение:
4.3 3.6 3.2 2.8 2.7 2.61 естественное
2.87 2.17 1.77 1.37 1.27 1.18 принудительное У=6 м/с
охладитель ОР224-60 охладитель ОР234-60  
5 4.3 3.9 3.5 3.4 3.31 естественное
 

Параметры изоляции
Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение		 Наименование, единица измерения МГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80
Uisol Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) 2000 (для 4-8 классов) 2500 (для 10-12 классов) Нормальные климатические условия.
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
1500 Повышенная влажность (>80%).
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
Risol Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, MОм, не менее 50 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
5 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
UIG Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, В (действующее значение) 2500 Нормальные климатические условия.
1500 Повышенная влажность (>80%).
RIG Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, МОм, не менее 1000 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
100 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.