Модули симисторные МТОТО4/3-40, МТОТО4/3-63, МТОТО4/3-80, МТОД4/3-40, МТОД4/3-63, МТОД4/3-80, МДТО4/3-40, МДТО4/3-63, МДТО4/3-80

Нет фото
По всем интересующим Вас вопросам:
Москва:
+7(495)182-71-11
E-mail:
info@promsouz.org
Код товара:
131-10-7280
Цена с НДС:
Цена по-запросу
Описание
  Параметр   Значение параметра:    
      Тип модуля   Условия установления норм на парметры
Обозна­чение Наименование, единица измерения МТОТО4/3-40
МТОД4/3-40
МДТО4/3-40		 МТ0Т04/3- 63 МТОД4/3- 63 МДТ04/3- 63 МТ0Т04/3- 80 МТОД4/3- 80 МДТ04/3- 80  
UdRM
Urrm
i		 Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов:
4
5
6
7
8
9

  1.  11 12
   400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200   Tjm = 100 °с.
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный длительностью 10 мс, частота 50 Гц.
Udsm
Ursm		 Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В - 1,I2Udrm
U2Urrm		   Tjm = 100 °C. Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц.
i Udwm UrwM Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В   0>8Urrm   Tjm = 100 °с.
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц.
Ud
Ur		 Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В   0,6Udrm
0,6Urrm		   Тс = 60 °С.
h—i
Д? K—1 : >
j ^ 		Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии и средний прямой ток, А 40 63 80 Тс = 60 °с.
Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц.
Itrms
Ifrms
. ..........		 Действующий ток в открытом состоянии и действующий прямой ток, А 63 100 125 Tj,„ = 100 °С
Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц.
!
■ Usm ! Usm		 Ударный ток в открытом состоянии и ударный прямой ток, кА 1,37 1,60 1,65 Tj = 25 °С ; UR = 0.
Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, одиночный, длительностью 10 мс.
  1,25 1,45 1,50 Т) = Tjm ; Ur = 0.
Импульс тока синусоидальный, : однополупериодный, одиночный, длительностью 10 мс.
l dt Lrit
!		 Критическая скорость нарастания тока в отрытом состоянии, А/мкс   100   Tjm = 100 °С; UD = 0,67UDRM;
2Itav ^5Itav. Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, частота 1 - 5 Гц.
Режим цепи управления: форма - трапецеидальная; длительность импульса тока 50мкс; длительность фронта - 1 мкс; амплитуда импульса тока управления 250 мА; Внутреннее сопротивление источника управления 20 Ом.
U|S0] Электрическая прочность изоляции между
беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В, (действующее значение)		   Ю00 (для 4-8 кл. 1500 (для 9-12 kj )
i.)		 Напряжение синусоидальное, частота 50 Гц . Время выдержки 1 под напряжением - 60 с . Выводы 1,2,3 закорочены между собой.
UiG Электрическая прочность изоляции между основными выводами и выводами управляющих электродов, В, (действующее значение) 2500 Напряжение синусоидальное, j частота 50 Гц. Время выдержки под напряжением - 60 с. Выводы 1,2,3 модуля закорочены между собой. Управляющие выводы закорочены между собой.
Tim Температура перехода,
°с*		 100 ;
  максимально допустимое значение;    
т
L jmm		 минимально допустимое значение минус 40  
  Температура хранения, °С:
максимально допустимое значение		 40 (для У2), 50 (для ТЗ)  
Т
1 stgm		   -
Tstgmm минимально допустимое значение минус 40  
           

Характеристики и параметры оптотиристорных и комбинированных модулей

  Параметр Значение параметра    
      Тип модуля     Условия установления норм на параметры
Обозначение Наименование, единица измерения МТОТО4/3-40
МТОД4/3-40
МДТО4/3-40		 МТ0Т04/3-63
МТОД4/3-63
МДТ04/3-63		   МТОТО4/3-80
МТОД4/3-80
МДТО4/3-80
Ujm
Ufm		 Импульсное напряжение в открытом состоянии и импульсное прямое напряжение, В, не
более :		   1,75     ТГ25 °С;1тм = 3,141Т(ЛУ) IfM = 3,14lp(AV).
Ut(to)
UTo		 ; Пороговое напряжение 1
; В ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ
и пороговое напряжение, В		   1,1     Tj=100°C.
Гт Динамическое сопротивление, Ом 0,0052 0,0033   0,0026 II
О I °
о !
п 1
Idrm
Irrm		 Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии и ;
повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более		   6,0     Tj = 100 °C ; Ud = Uqrm; Ud = Urrm
II Ток включения, мА 70   100   Tj =25 °C; UD = 12 B. Режим цепи управления: Форма импульса - трапецеидальная: амплитуда -250 мА; длительность импульса -50 мкс ; длительность фронта - 1 мкс .
Ih Ток удержания, мА, не 1 более 1 50 70 Tj = 25 °C;UD= 12 В. Цепь управления разомкнута.
(dUD\
i dt Jcri,		   Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, для групп:
0
1
2
3
4
5		   •
Не нормируется 0 50 100 200 320		   Tj = 100 °С; Udm = 0,67Udrm ;
tUD > 200 мкс.
Цепь управления разомкнута.
tgd   Время задержки, мкс   7   Tj = 25 °С; UD= 100В.
Режим цепи управления: Форма импульса - трапецеидальная; амплитуда -250 мА; длительность импульса - 50 мкс; длительность фронта - 1 мкс .
tgt   Время включения, мкс   15   Tj = 25 °С; UD= Ю0В. Режим цепи управления: Форма импульса - трапецеидальная: амплитуда - 250 мА; длительность импульса - 50 мкс; длительность фронта - 1 мкс .
!   Время выключения, мкс, не более   100   Tj = 100°С;1тм = It(av); Г diT i
—d- = 5А/мкс; [dt )f
tj = 500 мкс; Ur = 100 В; Udm = 0,67Udrm; tii = 200 мкс;
( dUrt \
—— = 50 B/mkc. dt Jcrit
Qrr   Заряд обратного восстановления, мкКл 1 120 150 175 Tj = 100 °C; Itm = It(av>; ( diT \
trr   Время обратного восстановления, мкс 8.0 9.0
J		 10.0 —— = 5 A/mkc; [dt )f
Ifm - IF(AV)-;
= 5 A/mkc;
l dt Jf
t = 500 мкс; Ur = 100 B.
Ugtm   Отпирающее   2,0   Ti = 25 °C :t„ = 100 мкс.
'   импульсное напряжение управления, В, не более   3,0   Tjmin = минус 40 °C; tu= 100 мкс.
Igtm .   Отпирающий   250   Ti=25 °C; t„=100 мкс.
    импульсный ток управления, мА, не ______ более___ j   600   Tjmin = минус 40 °C; t„ = 100 мкс.
Ugd   Неотпирающее импульсное напряжение  управления, В, не менее   0,90   Tj = 100 °C; tu= IOOmkc.
U GT   Отпирающее ^   1,6   Tj = 25 °C.
    постоянное напряжение управления, В, не более   1,8   Tj = минус 40 °C.
1 2 3 4 5 6 1
I GT Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более   80   Tj = 25 °С.
iGTmax Максимально допустимый постоянный ток управления, мА   100   -
iGTMmax Максимально допустимый импульсный ток управления, мА   700   tu = 100 мкс, скважность 10.
Rthjc Тепловое сопротивле­ние переход - корпус, °С/Вт 0,60 0,36 0,30 Постоянный ток.

Характеристики и параметры модулей с охладителем 0127

  Параметр Значение параметра  
         
           
  Тип охладителя  
3 0127*
4		 5
I'I'(AV) Средний ток в       Естественное охлаждение.
  открытом состоянии и       Та = 40 °С.
Iravi средний прямой ток на       Ток синусоидальный,
  элемент, А       частота 50 Гц.
          В проводящем состоянии
          находится:
  ; 30 38 41 1 элемент
    21 25 27 2 элемента
    13 14 15 4 элемента 1
    9 10 11 6 элементов.
  Тепловое       В проводящем состоянии
  сопротивление       находится:
Rthjn переход - среда одного 1,50 1,26 1,20 1 элемент
  элемента, °С/Вт 2,30 2,06 2,00 2 элемента
    3,90 3,66 3,60 4 элемента
    5,50 5,26 5,20 6 элементов.
  Тепловое        
  сопротивление        
R-thch корпус - контактная   П 1   Естественное охлаждение.
  поверхность       Постоянный ток.
  охладителя, °С/Вт        

Характеристики и параметры модулей оптотиристорных и комбинированных с охладителем 0227

Обозна­чение
; 1		 Параметр
Наименование, единица измерения		 Значение параметра Тип модуля Условия установления норм на параметры.
МТОТО4/3-40
МТОД4/3-40
МДТО4/3-40		 МТ0Т04/3-63
МТОД4/3-63
МДТ04/3-63		 МТОТО4/3-80
МТОД4/3-80
МДТО4/3-80
  Тип охладителя    
2 3 0227*  
.4 5 6
I'RAV) Средний ток в       Естественное охлаждение.
т открытом состоянии и       Та = 40 °С. Ток
lF(AV) средний прямой ток       синусоидальный,
  на элемент, А       частота 50 Гц.
          В проводящем состоянии
          находится:
    33 43 47 1 элемент
    24 29 31 2 элемента j
    16 17 18 4 элемента
    11 13 13 6 элементов.
  Тепловое       В проводящем состоянии
  сопротивление       находится:
Rh переход - среда 1,36 U2 1,06 1 элемент
AVthja одного элемента, 2,02 1,78 1,72 2 элемента
  °С/Вт 3,34 3,10 3,04 4 элемента
    4,66 4,42 4,36 6 элементов
  Тепловое        
  сопротивление корпус        
R , , - контактная   0 1   Естественное охлаждение.
JMhch поверхность       Постоянный ток.
  охладителя, °С/Вт