Москва:
+7(495)182-71-11
Режим работы:
Пн-Пт, с 9 до 17
E-mail:
info@promsouz.org

Модули симисторные МТСТС8/4-100, МТСТС8/4-125, МТСТС8/4-160, МТСТС8/5-100, МТСТС8/5-125, МТСТС8/5-160

  • Модули симисторные  МТСТС8/4-100, МТСТС8/4-125, МТСТС8/4-160, МТСТС8/5-100, МТСТС8/5-125, МТСТС8/5-160
По всем интересующим Вас вопросам:

Москва: +7(495)182-71-11

E-mail: info@promsouz.org

Поделиться ссылкой:
Код товара:
131-10-7284
Наличие:
Уточняйте у менеджера
Цена с НДС:
По запросу
Общие сведения
Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным. Представлены следующими типоисполнениями:
МТСТС8/4-100, МТСТС8/4-125, МТСТС8/4-160, МТСТС8/5-100, МТСТС8/5-125, МТСТС8/5-160
Предназначены для работы в цепях переменного тока, частотой до 500 Гц различных электро-технических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.
Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма- излучения).
Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50мс и ускорением 40 м/с2. Группа М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У
32.1-30077685-008-2003.
 
Предельно допустимые значения параметров модулей
 
Обозначение Наименование, Тип модуля Условия установления норм на параметры
параметра единица измерения МТСТС8/4-100 МТСТС8/4-125 МТСТС8/4-160
    МТСТС8/5-100 МТСТС8/5-125 МТСТС8/5-160  
  Повторяющееся импульсное         T.m= 125 oC,
Напряжение синусоидальное,
UDRM напряжение в закрытом состоя­нии, В, для класса:        
  2     200   f= 50 Гц
  4     400    
  5     500    
  6     600    
  8     800    
  9     900    
  10     1000    
  11     1100    
  12     1200    
  Неповторяющееся импульсное         T.m= 125 oC,
Импульс напряжения синусои-
UDSM напряжение в закрытом сос­тоянии, В, для класса:        
  2     225   дальный,одиночный, однопо-
  4     450   лупериодный, длительность
  5     560   10 мс в каждом направлении.
  6     670   Цепь управления разомкнута
  8     900    
  9     1000    
  10     1100    
  11     1200    
  12     1300    
U Постоянное напряжение в зак-     0,6П   ч
II
эо
U\
О
D рытом состоянии, В         с
UDWM Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В     0,8Udrm   T.m= 125 oC,
Напряжение синусоидальное, f= 50 Гц
T Максимально допустимый дейс­твующий ток в открытом состоя- 100   125 160 Ток синусоидальный, f = 50 Гц
TRMSM нии, А         угол проводимости 360 град.эл.
    880   1100 1320 Т = 25 0С
Ttsm Ударный ток в открытом состоя­нии, А, не менее 800   1000 1200 T. = 125 0С, U = 0,импульс
jm D
одиночный, t = 20 мс,1 = 50 1ц
(diT/dt)crit Критическая скорость нараста-         T. = 125 0С, U = 0,67 Uno„;
ния тока в открытом состоянии, А/мкс, не менее     63   iT 21trmsm
Импульс тока синусоидаль-
            ный, однополупериодный, f= 1-5 Гц.
Режим цепи управления: форма импульса тока -трапе­цеидальная; К =50 мкс;
Gmm л,
1G = 3iGT ; длительность фронта не более 1мкс. Внутреннее
            сопротивление источника уп­равления не более 30 Ом.
Нормальные климатические
Rtg Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием     50   условия.
  модуля и его выводами, МОм,     5   Повышенная влажность
  не менее         (>80%). Напряжение 1000 В, длительность 10 с.
  Электрическая прочность изо­ляции между беспотенциальным   2,0 (для 2-8 кл .) Нормальные климатические
u   2,5 (для 9-12 кл.) условия.
TG основанием модуля и его выво-         Повышенная влажность
  дами, кВ,(действующее значе­ние)     1,5   (>80%). Напряжение синусои­дальное, f = 50 Гц. Время вы­держки под напряжением 60 с. Основные выводы закорочены между собой.
T Максимально допустимая темпе-     125    
jm ра тура перехода,°С        
T. .
jmin
Минимально допустимая темпе­ратура перехода,0С     минус 40    
T Максимально допустимая темпе-     40    
stgm ратура хранения,°С        
Tt .
stgmin
Минимально допустимая темпе­ратура хранения,°С     минус 40    
 
 
 Характеристики и параметры модулей
 
Обозначение Наименование, Тип модуля Условия установления
     
параметра единица измерения МТСТС8/4-100 МТСТС8/4-125 МТСТС8/4-160 норм на параметры
МТСТС8/5-100 МТСТС8/5-125 МТСТС8/5-160
и Импульсное напряжение в от-       T. = 25 “C,
1т= 1,41 Itrmsm
TM крытом состоянии, В, не бо- 1,70 1,70 1,60
  лее      
тт Пороговое напряжение в от-   1,00   T. = 125 “C
  крытом состоянии, В     Jm
rT Динамическое сопротивление 0,0053 0,0040 0,0029 T. = 125 “C
  в открытом состоянии, Ом Jm
  Повторяющийся импульсный   3,0   T = 25 “C j
^DRM ток в закрытом состоянии, мА, не более
Критическая скорость нарас-
  15,0   TJm= 125 “C
 
  тания коммутационного нап-       T = 125 “C,U = 0,67Um
jm 5 D 5 DRM’
(dUD/dt)crit ряжения , В/мкс,не менее, для группы:       t . = 200 мкс,К= ^,0„,
u min 5 T TRMSM’
t = 10 мс.
i
  0   не менее 1,0   Импульсы источника уп-
  1   2,5   равления: форма - экспо-
  2   4,0   ненциальная, амплитуда
  3   6,3   не более 50 В, длитель-
  4   10,0   ность фронта 1 мкс, сопро-
  5   16,0   тивление не более 50 Ом
  6   25,0    
  7   50,0    
  8   100,0    
UGT Отпирающее постоянное нап­ряжение управления, В,   3,0   T = 25 oC,U = 12 В
J ’ D
не более   4,0   T . = минус 40 “C, U = 12 В
Jmin D
^GT Отпирающий постоянный ток   150   T = 25 “C, U = 12 В
JD
управления,мА,не более   300   T. . = минус 40 “C, UD= 12 В
Jmin D
Ugd Неотпирающее постоянное напряжение управления, В,   0,2   T. = 125 “C, Ud=0,67Udrm
jm 5 D 5 DRM
не менее        
R Тепловое сопротивление пе- 0,27 0,22 0,19 Постоянный ток
thjc реход -корпус,'“C/Вт, не более  
 
 
Характеристики и параметры модулей с рекомендуемыми охладителями 
 
Обозначение
параметра
Наименование, единица измерения Тип модуля Условия установления норм на параметры
МТСТС8/4-100
МТСТС8/5-100
МТСТС8/4-125
МТСТС8/5-125
МТСТС8/4-160
МТСТС8/5-160
Rthch Тепловое сопротивление корпус -контактная поверх­ность охладителя,°С/Вт 0,2  
Охладитель ОР344-120
ITRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии,A 61 67 73 естественное охлаждение
95 108 121 принудительное охлаждение
  Тепловое сопротивление пе- 1,13 1,08 1,05 естественное охлаждение
Rthja реход -среда,0С/Вт, не более 0,64 0,59 0,56 принудительное охлаждение
Охладитель ОР344-180
ITRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии,A 66 73 80 естественное охлаждение
97 111 125 принудительное охлаждение
Rthja Тепловое сопротивление пе- 1,02 0,97 0,94 естественное охлаждение
реход -среда,0С/Вт, не более 0,62 0,57 0,54 принудительное охлаждение
Охладитель ОР344-240
ITRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии,A 72 80 88 естественное охлаждение
100 115 130 принудительное охлаждение
  Тепловое сопротивление пе- 0,92 0,87 0,84 естественное охлаждение
Rthja реход -среда,0С/Вт, не более 0,59 0,54 0,51 принудительное охлаждение