Диоды Д115-10, Д115-16, Д115-20

Нет фото
По всем интересующим Вас вопросам:
Москва:
+7(495)182-71-11
E-mail:
info@promsouz.org
Код товара:
131-10-7153
Цена с НДС:
Цена по-запросу
Описание

Общие сведения
Диоды Д115 выпускают на токи 10 , 16 и 20 А напряжением от 400 до 1200В в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием фланцевого исполнения.
Диоды предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц, а также в различных преобразователях электроэнергии.
Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Диоды предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, г-излучения).
Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50мс и ускорением 40 м/с2. Группа М 27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Диоды по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-006-2002.
Комплектность поставки и формулирование заказа
Диоды поставляются без охладителей, но по согласованию с предприятием-изготовителем могут поставляться с охладителем и комплектом крепежных деталей.
К каждой партии диодов, транспортируемых в один адрес, прилагается этикетка.
При заказе диодов необходимо указать:
тип, класс, климатическое исполнение, категорию размещения, комплектность поставки, количество, номер технических условий.
Пример заказа 50 штук диодов типа Д115-10 восьмого класса.
Д115-10-8 ТУ У 32.1-30077685-006-2002 ТУ 50 шт, без охладителей.

Предельно допустимые значения параметров диодов

Буквенное
обозначени
Urrm
URSM		 Параметр
Наименование, е единица измерения
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов:
4
5

  1. 8

9

  1. 11 12

Неповторяющееся импульс­ное обратное напряжение, В, для классов:
4
5

  1. 8

9

  1. 11 12
 Зна
Д115-10		 чение парамег Тип диода Д115-16
400
500
600
800
900
1000
1100
1200
450
560
670
900
1000
1100
1200
1300		 тра
Д115-20		 Условия установления норм на параметры
Tj = 25 0С Tjm = 125 0С
Импульс напряжения сину­соидальный, однополупери- одный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Т = 25 0С Дт= 125 0С
Импульс напряжения сину­соидальный, однополупери- одный длительностью 10 мс, частота 50 Гц
URWM Р абочее импульсное обратное напряжение, B   0,8 Urrm   Tjm = 125 0С
Импульс напряжения сину­соидальный, однополупери- одный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Ur Постоянное обратное напря­жение, В   0,6 Urrm   и
о
ОП
00
II
о
Н
If(av) Максимально допустимый средний прямой ток, А 10 16 20 Тс = 85 0С
Импульс тока синусоидаль­ный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Ifrms Действующий прямой ток, А 16 25 31 Импульс тока синусоидаль­ный, однополупериодный, длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Ifsm Ударный прямой ток, А 138
125		 165
150		 220
200		 Tj = 25 0С
0 Ur = 0 Tjm = 125 0С
Импульс тока синусоидаль­ный, однополупериодный, одиночный длительностью 10 мс, частота 50 Гц
Risol
Uisol
T
TJm
Tjmin
T
stgm
Tstgmin		 Сопротивление изоляции ме­жду беспотенциальным осно­ванием тиристора и его вы­водами, МОм, не менее
Электрическая прочность изоляции между беспотенци­альным основанием диода и его электрическими вывода­ми, кВ,(действующее значе­ние)
Температура перехода: максимальное значение°С минимальное значение,0С
Температура хранения: максимальное значение,°С минимальное значение,°С		 2
2		 30
3
,0 (для 4-8 кл.) 5 (для 9-12 кл.
125
минус 40 50
минус 40		 ) Нормальные климатические условия
Повышенная влажность > 80 % Напряжение 1000 В Время приложения испыта­тельного напряжения 10 c
Напряжение синусоидальное, частота 50 Г ц. Время вы­держки под напряжением 60 с. Основные выводы зако­рочены между собой



Характеристики и параметры диодов

Параметр Значение параметра  
Буквенное
обозначение		   Тип диода Условия установления
единица измерения Д115-10 Д115-16 Д115-20 норм на параметры
UFM Импульсное прямое напряжение, В, не более   1,3   T, = 25 0C;
Ifm = 3T4If(av)
Uto Пороговое напряжение, В   0,9   Tjm = 125 0C
Гт Динамическое сопротивле­ние, Ом 0,013 0,008 0,0064 Tjm = 125 0C
Irrm Повторяющийся импульс­ный обратный ток, мА, не более   1
4		   T, = 25 0C Tjm = 125 0C
Rthjc Тепловое сопротивление переход-корпус, 0С/Вт, не более 2,5 2,0 1,6 Постоянный ток
 



Характеристики и параметры диодов с рекомендуемым охладителем

Параметр Значение параметра  
Буквенное
обозначение		   Тип диода Условия установления
единица измерения Д115-10 Д115-16 Д115-20 норм на параметры
If(av) Максимально допустимый средний прямой ток , А 3,5 4,0 4,4 Естественное охлаждение Та = 40 0C
Ток синусоидальный, час­тота 50 Гц
^:Ь|а Тепловое сопротивление переход-среда, ^/Вт 20,7 20,2 19,8 Естественное охлаждение Постоянный ток Та = 40 0C
Rthjh Тепловое сопротивление контакта диод - охладитель, ^/Вт, не более   0,2   Естественное охлаждение Постоянный ток



Примечание - Рекомендуемый охладитель для диодов Д115 - алюминиевая пластинка
площадью 16 см2, толщиной не менее 0,5 мм. Тепловое сопротивление охладителя должно быть не более 18 оС/Вт. Материал охладителя должен иметь теплопровод­ность не менее 210 Вт/(м*°С)