Модули симисторные МТСТС7/5-10, МТСТС7/5-16

Нет фото
По всем интересующим Вас вопросам:
Москва:
+7(495)182-71-11
E-mail:
info@promsouz.org
Код товара:
131-10-7283
Цена с НДС:
Цена по-запросу
Описание

Общие сведения
Модули симисторные (МТСТС) состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием.
Предназначены для работы в цепях переменного тока, частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения).
Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с2. Группа М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-008-2003.

Предельно допустимые значения параметров модулей

Обозначеие
параметра		 Наименование, единица измерения Тип модуля
МТСТС7/5-10 МТСТС7/5-16		 Условия установления норм на параметры
UDRM Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии , В, для класса:
2
4
5

  1.  8

9

  1.  11
 200
400
500
600
800
900
1000
1100		 T.m= 125 oC,
Напряжение синусоидальное, f= 50 Гц
UDSM Неповторяющееся импульсное напряже­ние в закрытом состоянии , В, для класса:
2
4
5

  1.  8

9

  1.  11
 225
450
560
670
900
1000
1100
1200		 T.m= 125 oC,
Импульс напряжения синусоидаль­ный,одиночный, однополупериод- ный, длительность 10 мс в каждом направлении.
Цепь управления разомкнута
UD Постоянное напряжение в закрытом сос­тоянии , В 0,6UDRM T = 85 0С
с
UDWM Рабочее импульсное напряжение в зак­рытом состоянии , В 0,8UDRm T.m= 125 0С,
Напряжение синусоидальное, f= 50 Гц
^TRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А 10 16 Ток синусоидальный, f = 50 Гц угол проводимости 360 град.эл.
^TSM Ударный ток в открытом состоянии, А, не менее 77 110 70 100 T. = 25 0С
j
Tm= 125 0С, UD = 0,импульс одиноч­ный, t = 20 мсЦ= 50 Гц
(diT/dt)crit Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс, не менее 20 T. = 125 0С, UD = 0,67 U-
.m D DRM
т = 2Т
T TRMSM
Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, f= 1-5 Гц. Режим цепи управления: форма импульса тока -трапецеидаль­ная; К =50 мкс; К = 3Т_ ; длитель­ность фронта не более 1мкс. Внутреннее сопротивление источни­ка управления не более 30 Ом.
    50 Нормальные климатические условия.
Rig Сопротивление изоляции между беспо­тенциальным основанием модуля и его выводами, МОм, не менее 5 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, длительность 10 с.
Ug Электрическая прочность изоляции меж­ду беспотенциальным основанием моду­ля и его выводами, кВ,(действующее значение) 2,0 (для 2-8 кл.) 2,5 (для 9-11 кл.)
1,5		 Нормальные климатические условия.
Повышенная влажность (>80%). Напряжение синусоидальное, f = 50 Гц. Время выдержки под нап­ряжением 60 с. Основные выводы закорочены между собой.
T.
Jm		 Максимально допустимая температура пережда,°С 125  
T. .
jmin		 Минимально допустимая температура пережда,°С минус 40  
Tt
stgm		 Максимально допустимая температура хранения,°С 40  
Tt .
stgmin		 Минимально допустимая температура хранения,°С минус 40  

Характеристики и параметры модулей

Обозначение Наименование, Тип модуля Условия установления
параметра единица измерения МТСТС7/5-10 МТСТС7/5-16 норм на параметры
UTM Импульсное напряжение в откры­том состоянии, В, не более 1,75 1,70 Т.= 25 oC,
j ’
1т 1,41 Itrmsm
UT(TO) Пороговое напряжение в открытом состоянии, В 1,00 Т = 125 0С
Jm
rT Динамическое сопротивление в от­крытом состоянии, Ом 0,053 0,031 Т = 125 0С
Jm
т Повторяющийся импульсный ток в 1,0 Т.= 25 0С j
adrm закрытом состоянии, мА, не более 2,5 Т. = 125 0С
Jm
(dUD/dt)crit Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее, для группы:
0
1
2
3
4
5

  1.  7
 не менее 1,0 2,5

  1.  6,3
  1.  16,0

25.0
50.0

 Т. = 125 °С,и= 0,67U
jm 5 D 5 DRM’
t . = 200 мкс,1 = I , t = 10 мс Импульсы источника управления: форма - экспоненциальная, ампли­туда не более 50 В, длительность фронта 1 мкс, сопротивление не более 50 Ом
TT Отпирающее постоянное напряже- 2,0 Т = 25 0С,и = 12 В
.D
UGT ние управления, В, не более 3,5 Т . = минус 40 0С, U = 12 В
jmin D
т Отпирающий постоянный ток уп- 60 Т = 25 0С, U = 12 В
.D
GT равления,мА,не более 120 Т. . = минус 40 0С, Ud= 12 В
jmin D
Ugd Неотпирающее постоянное напря­жение управления, В, не менее 0,2 Т. = 125 0С, Ud=0,67Udrm
jm 5 D 5 DRM
Rthjc Тепловое сопротивление переход - корпус,0С/Вт, не более 2,60 1,80 Постоянный ток

Характеристики и параметры модулей с рекомендуемыми охладителями

Обозначение Наименование, Тип модуля   Условия установления
параметра единица измерения МТСТС7/5-10 МТСТС7/5-16 норм на параметры
Rthch Тепловое сопротивление корпус -контактная поверхность охлади- теля,°С/Вт 0, 8 Естественное охлаждение Постоянный ток
    Охладитель ОР2 24-60  
^TRMS Максимально допустимый дейст­вующий ток модуля в открытом состоянии,A 11,0 10,7 Естественное охлаждение, Та= 40 oC, ток синусоидальный, f = 50 Гц
Rthja Тепловое сопротивление переход -среда,0С/Вт, не более 6,2 5,4 Естественное охлаждение, Та= 40 oC, постоянный ток
    Охладитель ОР2 24-80  
^TRMS Максимально допустимый дейст­вующий ток модуля в открытом состоянии,A 12,1 11,8 Естественное охлаждение, Та= 40 oC, ток синусоидальный, f = 50 Гц
Rthja Тепловое сопротивление переход -среда,0С/Вт, не более 5,5 4,7 Естественное охлаждение, Та= 40 oC, постоянный ток