Модули тиристорные быстродействующие МТБТБ4/3-50, МТБТБ4/3-63

Нет фото
По всем интересующим Вас вопросам:
Москва:
+7(495)182-71-11
E-mail:
info@promsouz.org
Код товара:
131-10-7272
Цена с НДС:
Цена по-запросу
Описание

Представляют собой комбинации тиристоров быстродействующих (МТБТБ). Модули на быстродействующих тиристорах представлены следующими типоисполнениями:

  • МТБТБ4/3-50,
  • МТБТБ4/3-63.

Предназначены для работы в высокочастотных цепях переменного тока. Применяются в преобразователях электрической энергии.

Схема соединения элементов модуля на быстродействующих тиристорах:


Предельно допустимые значения параметров модулей на быстродейсвующих тиристорах: 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Обозначение Наименование,
единица
измерения		 Тип модуля
МТБТБ4/3-50 МТБТБ4/3-63
UDRM

URRM

 Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В,для классов:
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200

 Т=1250С
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10мс, частота 50 Гц
UDSM
URSM		 неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В 1,12UDRM
1,12URRM
UDWM
URWM		 Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В 0,8UDRM
UD
UR		 Постоянное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В 0,6UDRM
0,6URRM		 Т=850С
ITAV) Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А 50 63 Т=850С. Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10мс, частота 50 Гц  
ITRMS Действующий ток в открытом состоянии, А 78 100 Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10мс, частота 50 Гц
ITSM Ударный ток в открытом состоянии, А 1100 1200 Т=250С. Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10мс.
1000 1100 Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длительностью 10мс.
Uisiol Электричекая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (действующее значение), В 2000 (для 2-8 кл.)
2500 (для 9-12 кл.)		 Напряжение синусоидальное, частота 50 Гц. Время выдержки под напряжением - 60с. Выводы 1, 2, 3 закорочены между собой.
Tjm Температура перехода, 0С:
максимально допустимое значение;		 125 -
Tjmin минимально допустимое значение; минус 40
Tstgm Температура хранения, 0С: максимально допустимое значение; 40 (для У2), 50 (для Т3)
Tstgmin минимально допустимое значение; минус 40

Характеристики и параметры модулей на быстродействующих тиристорах

Параметр Значение параметра
Обозначение Наименование,
единица
измерения		 Тип модуля
МТБТБ4/3-50 МТБТБ4/3-63
UTM Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более 2,3
UТ(TO) Пороговое напряжение в открытом состоянии, В, не более 1,2
rT Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом 0,0070 0,0056
IDRM
IRRM		 Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии и повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более 9,0 12,0
tgt Время включения, мкс, не более, для группы:
0
1
2		 Не нормируется
4,0
3,2
Rthjc Тепловое сопротивление, переход-корпус, на элемент, 0С/Вт 0,35 0,30
IН Ток удержания, мА, не более 120
tq Время выключения, мкс,  не более, для групп:
4
5
6
7		 32
25
20
16
UGT Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более 4,0
3,0
IGT Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более 150
300
UGD Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не более 0,25

Характеристики и параметры модулей на быстродействующих тиристорах с охладителем О127

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Обозначение Наименование,
единица
измерения		 Тип модуля
МТБТБ4/3-50 МТБТБ4/3-63
Тип охладителя: О127
ITAV) Средний ток в открытом состоянии, А

36
25
15
11

40
27
16
12

 Естественное охлаждение Т=400С. Ток синусоидальный. Частота 50 Гц. В проводящем состоянии находится:

1 элемент
2 элемента
4 элемента
6 элементов.
Rthja Тепловое сопротивление переход - среда одного элемента, 0С/Вт 1,25
2,05
3,65
5,25		 1,20
2,00
3,60
5,20		 В проводящем состоянии находится:
1 элемент
2 элемента
4 элемента
6 элементов.
Rthch Тепловое сопротивление корпус - контактная поверхность охладители, 0С/Вт 0,1 Естественное охлаждение. Постоянный ток.

Характеристики и параметры модулей на быстродействующих тиристорах с охладителем О227

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Обозначение Наименование,
единица
измерения		 Тип модуля
МТБТБ4/3-50 МТБТБ4/3-63
Тип охладителя: О227
IT(AV) Средний прямой ток на элемент, А 40
28
18
13		 44
30
19
14		 Естественное охлаждение Т=400С. Ток синусоидальный, однопоулпериодный. Частота 50 Гц. В проводящем состоянии находится:
1 элемент
2 элемента
4 элемента
6 элементов.
Rthja Тепловое сопротивление переход - среда одного элемента, 0С/Вт 1,11
1,77
3,09
4,41		 1,06
1,72
3,04
4,36		 В проводящем состоянии находится:
1 элемент
2 элемента
4 элемента
6 элементов.
Rthch Тепловое сопротивление корпус - контактная поверхность охладители, 0С/Вт 0,1 Естественное охлаждение. Постоянный ток.